Description

K1120 N-Channel Power MOSFET (2SK1120)

Overview: The K1120 (2SK1120) is a high-performance N-Channel Power MOSFET designed for applications requiring high-speed switching and efficient power control. Manufactured by Toshiba, this robust transistor is a cornerstone for various electronic projects, offering excellent reliability and stable operation. Its low drain-source ON-resistance and high forward transfer admittance make it ideal for demanding power electronics circuits.

Key Features:

• High Speed Switching: Optimized for rapid ON/OFF transitions, crucial for efficient power conversion and control.
• High Current Capability: Capable of handling significant drain currents, suitable for power-intensive applications.
• Low Drain-Source ON-Resistance (RDS(ON)): Minimizes power loss and heat generation, enhancing efficiency.
• High Forward Transfer Admittance (|Yfs|): Ensures strong signal amplification and improved overall performance.
• Low Leakage Current (IDSS): Contributes to energy efficiency and stability in various operating conditions.
• Enhancement Mode: Operates by applying a positive voltage to the gate, simplifying control.
• Durable TO-3P Package: Provides good heat dissipation and mechanical strength for industrial and hobbyist applications.

Specifications (Typical):

• Type: N-Channel Power MOSFET
• Drain-Source Voltage (VDSS): Up to 1000V
• Drain Current (ID): 8A (DC), 24A (Pulse)
• Drain Power Dissipation (PD): 150W (Tc=25°C)
• Gate-Source Voltage (VGSS): ±20V
• Drain-Source ON-Resistance (RDS(ON)): 1.5 Ω (Typ. at VGS=10V, ID=4A)
• Forward Transfer Admittance (|Yfs|): 4.0 S (Typ. at VDS=20V, ID=4A)
• Gate Threshold Voltage (Vth): 1.5 to 3.5V
• Package Type: TO-3P
• Operating Temperature Range (Tstg): -55 to 150°C

Where to be Used: The K1120 MOSFET is versatile and highly recommended for:

• DC-DC Converters: Essential for efficient voltage regulation in power supplies.
• Motor Drive Applications: Ideal for controlling the speed and direction of DC and stepper motors in robotics, automation, and hobby projects.
• Switching Regulators: Used in power supply units (PSUs) for efficient power conversion.
• High-Speed, High-Current Switching Applications: Any circuit requiring rapid and precise control of high-power loads.
• Industrial Control Systems: For robust and reliable power switching.
• DIY Electronics Projects: A popular choice for power stages in Arduino and Raspberry Pi based systems.

Additional Information / External Links: For detailed technical information, including characteristic curves, absolute maximum ratings, and electrical characteristics, please refer to the official datasheet.

• https://docs.rs-online.com/20b9/0900766b80029427.pdf

نظرة عامة: يُعد K1120 (2SK1120) ترانزستور MOSFET بقناة N عالي الأداء، مصمم للتطبيقات التي تتطلب تبديلًا عالي السرعة وتحكمًا فعالًا في الطاقة. تم تصنيع هذا الترانزستور القوي بواسطة توشيبا (Toshiba)، وهو حجر الزاوية للعديد من المشاريع الإلكترونية، حيث يوفر موثوقية ممتازة وتشغيلًا مستقرًا. مقاومته المنخفضة لـ Drain-Source ON-Resistance وقدرته العالية على Forward Transfer Admittance تجعله مثاليًا لدوائر إلكترونيات الطاقة المتطلبة.

الميزات الرئيسية:

• تبديل عالي السرعة: مُحسّن للانتقالات السريعة بين حالتي التشغيل والإيقاف، وهو أمر حيوي لتحويل الطاقة والتحكم فيها بكفاءة.
• قدرة تيار عالية: قادر على التعامل مع تيارات تصريف كبيرة، مما يجعله مناسبًا للتطبيقات التي تستهلك طاقة عالية.
• مقاومة منخفضة لـ Drain-Source ON-Resistance (RDS(ON)): يقلل من فقدان الطاقة وتوليد الحرارة، مما يعزز الكفاءة.
• قدرة عالية لـ Forward Transfer Admittance (|Yfs|): يضمن تضخيمًا قويًا للإشارة وأداءً عامًا محسّنًا.
• تيار تسرب منخفض (IDSS): يساهم في كفاءة الطاقة والاستقرار في ظروف التشغيل المختلفة.
• وضع التعزيز (Enhancement Mode): يعمل عن طريق تطبيق جهد موجب على البوابة، مما يبسط التحكم.
• حزمة TO-3P متينة: توفر تبديدًا جيدًا للحرارة وقوة ميكانيكية للتطبيقات الصناعية وتطبيقات الهواة.

المواصفات (نموذجية):

• النوع: N-Channel Power MOSFET
• جهد المصرف-المصدر (VDSS): حتى 1000 فولت
• تيار المصرف (ID): 8 أمبير (تيار مستمر)، 24 أمبير (نبضي)
• تبديد طاقة المصرف (PD): 150 واط (عند Tc=25°C)
• جهد البوابة-المصدر (VGSS): ±20 فولت
• مقاومة التشغيل بين المصرف والمصدر (RDS(ON)): 1.5 أوم (عادةً عند VGS=10V, ID=4A)
• الناقلية الأمامية (|Yfs|): 4.0 سيمنز (عادةً عند VDS=20V, ID=4A)
• جهد عتبة البوابة (Vth): 1.5 إلى 3.5 فولت
• نوع الحزمة: TO-3P
• نطاق درجة حرارة التشغيل (Tstg): -55 إلى 150 درجة مئوية

مجالات الاستخدام: يعتبر ترانزستور K1120 متعدد الاستخدامات وموصى به بشدة للتطبيقات التالية:

• محولات التيار المستمر إلى المستمر (DC-DC Converters): ضروري لتنظيم الجهد بكفاءة في إمدادات الطاقة.
• تطبيقات تشغيل المحركات: مثالي للتحكم في سرعة واتجاه محركات التيار المستمر والمحركات الخطوية في الروبوتات والأتمتة ومشاريع الهواة.
• منظمات التبديل (Switching Regulators): يستخدم في وحدات إمداد الطاقة (PSUs) لتحويل الطاقة بكفاءة.
• تطبيقات التبديل عالية السرعة والتيار العالي: أي دائرة تتطلب تحكمًا سريعًا ودقيقًا في أحمال الطاقة العالية.
• أنظمة التحكم الصناعية: لتبديل الطاقة القوي والموثوق.
• مشاريع الإلكترونيات DIY (افعلها بنفسك): خيار شائع لمراحل الطاقة في الأنظمة القائمة على الأردوينو وراسبيري باي.